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  • 2025

    5-9

    層流壓差式防爆型的質(zhì)量流量控制器的工藝結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)耐腐蝕材料與密封優(yōu)化材料選擇:采用316L不銹鋼流道,其低碳含量與鉬元素增強(qiáng)了抗點(diǎn)蝕和晶間腐蝕能力,適用于Cl?、H?S等腐蝕性介質(zhì)環(huán)境。密封技術(shù):關(guān)鍵密封點(diǎn)使用FFKM全氟醚橡膠或PTFE材質(zhì),耐受強(qiáng)酸、強(qiáng)堿及有機(jī)溶劑,漏率控制在1×10?10Pa·m3/s以下,避免介質(zhì)泄漏導(dǎo)致的部件失效。層流元件與傳感技術(shù)層流元件:強(qiáng)制流體進(jìn)入雷諾數(shù)Re雙通道壓差傳感:結(jié)合溫度補(bǔ)償模塊修正粘度變化誤差,典型精度可達(dá)±0.5%讀...

  • 2025

    5-7

    質(zhì)量流量控制器(MassFlowController,MFC)在原子層沉積(AtomicLayerDeposition,ALD)設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色,其高精度、快速響應(yīng)和穩(wěn)定性對(duì)實(shí)現(xiàn)ALD工藝的高質(zhì)量薄膜沉積至關(guān)重要。前驅(qū)體氣體的精確控制脈沖式氣體注入:ALD工藝基于交替的前驅(qū)體氣體脈沖注入(如金屬有機(jī)化合物、反應(yīng)氣體等)。MFC需在極短時(shí)間內(nèi)(毫秒級(jí))精確控制氣體流量,確保每個(gè)脈沖的氣體量一致,從而實(shí)現(xiàn)單原子層的逐層沉積。流量穩(wěn)定性:MFC通過(guò)閉環(huán)反饋系統(tǒng)實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)流量,避免...

  • 2025

    5-6

    在工業(yè)自動(dòng)化與精密流體控制領(lǐng)域,耐腐蝕型質(zhì)量流量控制器(MFC)是保障生產(chǎn)安全與效率的關(guān)鍵設(shè)備。針對(duì)腐蝕性介質(zhì)的嚴(yán)苛工況,基于層流壓差原理設(shè)計(jì)的耐腐蝕型MFC通過(guò)材料優(yōu)化與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,在半導(dǎo)體、化工、環(huán)保等領(lǐng)域展現(xiàn)價(jià)值。產(chǎn)品概述:層流壓差式MFC的耐腐蝕設(shè)計(jì)層流壓差式MFC基于流體層流狀態(tài)下的壓差-流量線性關(guān)系,通過(guò)高精度傳感器與算法實(shí)現(xiàn)流量精準(zhǔn)控制。在耐腐蝕性能方面,其核心技術(shù)體現(xiàn)在三方面:材料選擇:核心流道與接觸部件采用316L不銹鋼,其低碳含量與鉬元素顯著提升抗點(diǎn)蝕、晶間...

  • 2025

    4-28

    泄漏率測(cè)試是工業(yè)制造與科研領(lǐng)域中確保系統(tǒng)密封性的關(guān)鍵環(huán)節(jié),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備、真空系統(tǒng)、醫(yī)療儀器、航空航天等高精度領(lǐng)域。測(cè)試的核心目標(biāo)是量化氣體或液體在密閉系統(tǒng)中的微小泄漏量,通常以標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘(sccm)或類似單位衡量。由于現(xiàn)代工業(yè)對(duì)密封性的要求日益嚴(yán)苛(如半導(dǎo)體工藝中允許的泄漏率可能低至1×10??sccm級(jí)別),傳統(tǒng)檢測(cè)手段難以滿足需求,而基于層流壓差式質(zhì)量流量控制器(MFC)的技術(shù)因其高精度、快速響應(yīng)和環(huán)境適應(yīng)性,逐漸成為泄漏率測(cè)試的核心設(shè)備。層流壓差式MFC...

  • 2025

    4-27

    揮發(fā)性有機(jī)物(VOCs)的在線監(jiān)測(cè)是環(huán)保治理的關(guān)鍵環(huán)節(jié),尤其在工業(yè)廢氣處理、大氣污染防控等領(lǐng)域。而層流壓差式質(zhì)量流量控制器(MassFlowController,簡(jiǎn)稱MFC)憑借其高精度、抗吸附性及耐腐蝕等特點(diǎn),成為VOCs在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)中的核心組件。層流壓差式MFC的技術(shù)原理與VOCs監(jiān)測(cè)的適配性層流壓差式MFC基于哈根-泊肅葉定律,通過(guò)層流元件強(qiáng)制氣體進(jìn)入層流狀態(tài)(雷諾數(shù)Re技術(shù)特性與VOCs監(jiān)測(cè)的適配性:高精度與穩(wěn)定性:精度可達(dá)±0.5%讀數(shù),重復(fù)性&plu...

  • 2025

    4-25

    質(zhì)量流量控制器在諸多領(lǐng)域中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到系統(tǒng)的精確控制和穩(wěn)定運(yùn)行。以下是一些影響質(zhì)量流量控制器性能的重要因素。流體特性是影響質(zhì)量流量控制器性能的關(guān)鍵因素之一。不同的流體具有不同的物理性質(zhì),如密度、粘度、溫度和壓力等。密度較大的流體在相同的流速下會(huì)產(chǎn)生更大的質(zhì)量流量,而粘度較高的流體則可能導(dǎo)致流量測(cè)量和控制的誤差增大。此外,流體的溫度和壓力變化也會(huì)對(duì)控制器的性能產(chǎn)生影響,因?yàn)檫@些變化會(huì)導(dǎo)致流體密度和體積的改變,進(jìn)而影響質(zhì)量流量的測(cè)量精度。精度和分辨率也是...

  • 2025

    4-25

    化學(xué)機(jī)械拋光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)是半導(dǎo)體制造中實(shí)現(xiàn)晶圓表面納米級(jí)平坦化的關(guān)鍵工藝,其核心設(shè)備CMP機(jī)臺(tái)通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用,確保芯片多層結(jié)構(gòu)的精確加工。質(zhì)量流量控制器(MassFlowController,MFC)作為高精度氣體流量控制的核心部件,在CMP設(shè)備中扮演了重要角色。CMP工藝對(duì)氣體控制的嚴(yán)苛需求CMP工藝的核心是通過(guò)拋光液與晶圓表面的化學(xué)反應(yīng)及機(jī)械摩擦實(shí)現(xiàn)材料去除。在此過(guò)程中,多種工藝氣體(如氧氣、氮?dú)?、?..

  • 2025

    4-24

    氣體壓力控制器的定義與工作原理氣體壓力控制器是一種用于監(jiān)測(cè)和調(diào)節(jié)氣體壓力的自動(dòng)化裝置,其核心功能是維持系統(tǒng)壓力在設(shè)定范圍內(nèi),確保設(shè)備安全運(yùn)行并優(yōu)化工藝效率。它通過(guò)傳感器、閥門等組件實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié),廣泛應(yīng)用于工業(yè)、能源、醫(yī)療、交通等領(lǐng)域。氣體流量與壓力的關(guān)系氣體流量(單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)的氣體體積)與壓力(單位面積上的作用力)之間存在復(fù)雜的動(dòng)態(tài)關(guān)聯(lián),主要受流量-壓力曲線與阻力系數(shù)、流動(dòng)狀態(tài)與雷諾數(shù)、溫度與介質(zhì)特性的影響壓力控制器如何影響氣體流量氣體壓力控制器通過(guò)調(diào)節(jié)系統(tǒng)壓力,間接或直接...

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